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專為電子技術員設計，F(xiàn)HP200N6F3A中低壓SGTMOSFET達成國際品牌標準

文章類別：MOS管資訊發(fā)布時間：2024-07-29 瀏覽量：747 分享至：

中低壓SGTMOSFET是開關穩(wěn)壓電源的主要設計元素。因為這樣，生產(chǎn)哪個中低壓SGTMOSFET工廠可獲得適合開關穩(wěn)壓電源用的中低壓SGTMOSFET產(chǎn)品？

目前的情況中低壓SGTMOSFET市場不合格的產(chǎn)品日常有：電磁噪聲、可靠性差等缺點，敘述缺點不僅僅是嚴重攪亂了開關穩(wěn)壓電源設備的正常工作，此外加劇了維護費用。從這個角度來說，尋求比較高品質(zhì)的中低壓SGTMOSFET國產(chǎn)替代型號關鍵。

開關穩(wěn)壓電源電子工程師在決定IPP04N06N3型號中低壓SGTMOSFET時，確定需要注重其性能參數(shù)，如，額定電流能否得到200A、電壓能否得到60V等，敘述指標與開關穩(wěn)壓電源電路的工作效率直接影響到。進一步來說，反向并行的快恢復和Vcesat飽和壓降也是核心方面。

結合了開關穩(wěn)壓電源電子工程師的須要，非常建議一款中低壓SGTMOSFET產(chǎn)品：FHP200N6F3A。它在技術參數(shù)上精準適宜IPP04N06N3，詳細我們可注重參數(shù)：

1、靜態(tài)導通電阻：2.85mΩ（Typ）、3.5mΩ（Max）
2、具有200A電流、60V電壓
3、N溝道場效應晶體管
4、最大脈沖漏極電流：800A
5、快速的開關能力
6、最高柵源電壓：±20V
7、VGS（th）：2.0-4.0V

飛虹半導體為開關穩(wěn)壓電源公司供應了排解方案：FHP200N6F3A型中低壓SGTMOSFET，一個200A、60V的強力參數(shù)，它將有效提升抬高開關穩(wěn)壓電源電路的功率開關能力，并排解產(chǎn)品的電磁噪聲、可靠性差艱難問題。

選擇飛虹半導體的FHP200N6F3A型號中低壓SGTMOSFET，推動開關穩(wěn)壓電源公司排解電路開發(fā)難題，確保穩(wěn)定的元器件供應。咨詢熱線：400-831-6077，免費試樣等你拿！