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純國產精品，FHP170N1F4A大功率SGTMOSFET的卓越性能與國際型號IPP045N10N3G媲美

文章類別：MOS管資訊發布時間：2024-09-23 瀏覽量：720 分享至：

隨著科技的加速完善，各個工種對電力電子變流器件的要求持續擴張。值得一提的是在逆變器、電視和音響系統等行業，對于控制與調節電流的器件——大功率SGTMOSFET的要求是急需滿足。該怎么樣選用一款純國產能國產替代IPP045N10N3G型號用于逆變器電路中的顯得極其緊要的。

當前狀態大功率SGTMOSFET的質量弊端：電磁噪聲、散熱問題、可靠性不高等，都對逆變器設備的常規執行造成威脅，從這個層面來講求助一個出色的品質的國產替代型號大功率SGTMOSFET變得極其緊要的。

在逆變器電子工程中，選用IPP045N10N3G型號大功率SGTMOSFET需要設計師著重關注其性能指標，正如電流可不可以滿足172a、電壓可不可以實現了100V等，所述指標與逆變器電路的工作效率決定影響。除去上面提及的，器件的擊穿電壓(BVCES)和關斷損耗也重要的關注點，全面的擊穿電壓(BVCES)性能滿足于提升升高逆變器的質量。

在實際案例中，FHP170N1F4A已經在國內多數逆變器廠商中成功國產替代IPP045N10N3G并且能夠收獲大規模運用。非常愿意建議每一位知了其詳細參數：

1、正向最大脈沖電流：480A
2、最高柵源電壓Vgs：±20V
3、場N溝道增強型
4、高雪崩耐量
5、具有172a電流、100V電壓
6、閾值電壓VGS（th）：2.0-4.0V

飛虹半導體非常愿意建議使用FHP170N1F4A型號的大功率SGTMOSFET，以提升升高逆變器電路的功率開關能力。這種額定參數為172a、100V的大功率SGTMOSFET，滿足于實際性克服產品電磁噪聲、散熱問題、可靠性不高等未知問題。

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