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鋰鐵磷酸電池電路的創(chuàng)新，MOSFET國內(nèi)FHD60N1F10A型號應(yīng)該怎樣成為佼佼者

文章類別：MOS管資訊發(fā)布時(shí)間：2024-12-05 瀏覽量：481 分享至：

哪家有MOSFET代理才具有能代替IPP126N10N3G型號MOSFET用在鋰鐵磷酸電池電路中？

當(dāng)下狀況MOSFET產(chǎn)品面臨散熱效率低、電磁影響、效率不高等疑問，這些都緊密關(guān)聯(lián)鋰鐵磷酸電池設(shè)備的常規(guī)反應(yīng)，選用精良品質(zhì)能代替MOSFET關(guān)鍵。

鋰鐵磷酸電池電子工程師在選用IPP126N10N3G型號MOSFET進(jìn)行代替時(shí)，需要特別注重其性能指標(biāo)，像額定電流會不會滿足60a、額定電壓會不會得到100v等，這些指標(biāo)緊密關(guān)聯(lián)了器件的工作效率。同理，器件的封裝類型和電壓上升率(dv/dt)也重點(diǎn)方面。

安設(shè)計(jì)師企望探索國內(nèi)MOSFET代理供應(yīng)FHD60N1F10A型號的MOSFET用在鋰鐵磷酸電池，實(shí)現(xiàn)MOSFET的代替使用。

1、靜態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(ON)：10.2mΩ（Typ）、12mΩ（Max）
2、雪崩電流：15A
3、具有60a電流、100v電壓
4、Vgs：±20V
5、閾值電壓VGS（th）：2.0-4.0V
6、N溝道場效應(yīng)晶體管

企望升高鋰鐵磷酸電池的控制能力，飛虹半導(dǎo)體解決安先生需求，所以選用FHD60N1F10A型號MOSFET。

升高鋰鐵磷酸電池電路性能的起決定作用的是控制能力，飛虹半導(dǎo)體的FHD60N1F10A型MOSFET以其60a、100v的強(qiáng)大參數(shù)，確保應(yīng)對產(chǎn)品的散熱效率低、電磁影響、效率不高疑問。

鋰鐵磷酸電池電路可專用國內(nèi)FHD60N1F10A型號MOSFET。飛虹半導(dǎo)體MOSFET代理不遺余力為鋰鐵磷酸電池、開關(guān)電源、升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器等電子廠商提供最大的元器件供應(yīng)保障。詳情亦可百度搜索“飛虹半導(dǎo)體”或撥打免費(fèi)試樣熱線： 400-831-6077！