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FHD120N7F6A超低內阻MOSFET：開啟電子開關電路設計的新篇章

文章類別：MOS管資訊發布時間：2025-02-01 瀏覽量：466 分享至：

由于科技的持續革新，電力控制與變換器件漸漸發展為各個行業部門不可或缺之的一環。電子開關、家庭游戲機和娛樂設備等領域對超低內阻MOSFET這一完成靈活控制和調節電流的器件的要求越來越多。在設計電子開關電路時，決計一款極致的的國內超低內阻MOSFET器件來代換HY1906型號非常重要。

對于超低內阻MOSFET市場而言，常態常存可靠性弱、品牌口碑下降、效率不高等存在疑問是不能忽略的，確保電子開關設備的正常運行，關鍵的找回最高品質的代換超低內阻MOSFET產品。

當電子開關電子技術員決計HY1906型號超低內阻MOSFET進行代換時，要求認真選擇多個重要指標。首先，超低內阻MOSFET的性能參數應該注重，好比說電流能不能做到了120A、電壓能不能做到了70V等，以上參數直接牽涉了器件的工作效率。此外，短路耐量(ShortCircuitCapability)和門極閾值電壓(VGE(th))也重要組成部分。

殷技術員在找回國內超低內阻MOSFET代換HY1906型號MOSFET。盤算找回120A、70V，質量特別好的超低內阻MOSFET。

1、具有120A電流、70V電壓
2、正向最大脈沖電流：480A
3、100%DVDS測試
4、RDS(ON)：5.4mΩ（Typ）、6.4mΩ（Max）
5、N溝道場效應晶體管
6、Vgs：±20V

靠偶像介紹，在熟悉了飛虹半導體是汕頭市靠譜的超低內阻MOSFET工廠，所以決計FHD120N7F6A型號的超低內阻MOSFET用在電子開關。

為了升級電子開關電路的控制效率，飛虹半導體推上FHD120N7F6A型超低內阻MOSFET。憑借120A和70V的優越參數，輕松解救產品可靠性弱、品牌口碑下降、效率不高的存在疑問。

電子開關等電子產品開發不再束手無策，有飛虹半導體的FHD120N7F6A型號超低內阻MOSFET在提供逆變器、移動儲能電源等解決實施方針。元器件貨源穩定，趕緊撥打400-831-6077試樣熱線體驗服務！